ติดต่อ World IT Engineering Co.,Ltd. Support Forums

ข่าว => ข่าวไอที => Topic started by: เอกอนุชา on November 11, 2014, 11:57:39 AM



Title: Apple อาจเปลี่ยนหน่วยความจำ iPhone 6 เป็นแบบเดิม หลังผู้ใช้บางคนพบปัญหา Bootloop
Post by: เอกอนุชา on November 11, 2014, 11:57:39 AM
มีผู้ใช้หลายคนรายงานว่า iPhone 6 และ 6 Plus พบปัญหาเครื่องแครช เกิดอาการบูทเครื่องวน ซึ่งมีการคาดการณ์ว่า เกิดจากปัญหา Flash Memory ตัวใหม่ที่ Apple ใช้

(http://www.arip.co.th/wp-content/uploads/iphone-6-and-6-plus-41.jpg)

โดยเว็บไซต์ BusinessKorea ได้เผยว่า Apple อาจเปลี่ยนหน่วยความจำในเครื่อง  iPhone 6 และ 6 Plus ในรุ่น 64GB  และ 128 GB จากแบบ TLC (triple-level cell) NAND flash เป็นแบบเก่าที่เคยใช้คือ MLC (multi-level cell) NAND flash

โดยสาเหตุของการปรับเปลี่ยนครั้งนี้ น่าจะเกิดมาจากที่ มีผู้ใช้รายงานถึงปัญหาการบูทเครื่องวน ซึ่งแหล่งข่าวคาดการณ์ว่า เกิดจากการที่หน่วยความจำแบบใหม่ที่ทำมามีปัญหา โดยที่ในอนาคต ไม่แน่ใจว่าการอัพเดตซอฟต์แวร์ iOS รุ่นใหม่ จะแก้ปัญหาได้หรือไม่

โดย TLC NAND flash ที่นำมาใช้ใน iPhone รุ่นล่าสุดนี้ มีคุณสมบัติคือ สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิทต่อ 1 เซลล์ จึงมีความคุ้มค่ากว่า MLC NAND flash ที่เก็บข้อมูลได้ 2 บิทต่อ 1 เซลล์ แต่ก็จะอ่านเขียนได้ช้ากว่า MLC NAND flash ด้วย

สนใจเงินกู้ เงินด่วน ที่ http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com)

เงินด่วน (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) เงินกู้ (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) กู้เงิน (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) เงินกู้นอกระบบ (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) เงินด่วนนอกระบบ (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) เงินด่วนทันใจ (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) เงินกู้ทันใจ (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com) กู้เงินด่วน (http://www.แหล่งเงินด่วนเชื่อถือได้.com)